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一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法 发明申请

2023-04-07 4740 282K 0

专利信息

申请日期 2025-08-15 申请号 CN201810173215.1
公开(公告)号 CN108400009A 公开(公告)日 2018-08-14
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 徐靖才
简介 本发明公开了一种晶界扩散制备高矫顽力块状锰铋纳米磁体的方法,包括:按照MnBi合金成分配料,获得合金铸锭并快淬成薄带;将MnBi快淬薄带进行真空热处理,获得纳米晶合金薄带;按照低熔点稀土四元ReAlSnZn合金成分配料,保温熔炼获得母合金铸锭并快淬成薄带;将MnBi和ReAlSnZn快淬薄带按一定比例混合,并通过高能球磨获得均匀混合的纳米复合粉末;利用热压法制得块状锰铋纳米磁体。本发明通过添加低熔点ReAlSnZn合金并辅助高能球磨和热压技术,使ReAlSnZn纳米晶合金在锰铋磁体热压过程中会熔化为液态,加速了低熔点合金中的稀土元素在晶界的扩散,改善块状锰铋磁体扩散后的均匀性和致密性,得到高矫顽力的块状锰铋纳米晶磁体。同时,本发明工艺简单,制备周期短,成本低,可应用于大规模批量生产。


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