| 申请日期 | 2025-07-12 | 申请号 | CN202111537578.7 |
| 公开（公告）号 | CN114284017A | 公开（公告）日 | 2022-04-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 烟台正海磁性材料股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种R‑T‑B类钕铁硼磁体及其制备方法，所述磁体按质量比为100％计，所述磁体包含如下成分：27.0～35.0wt％的R，R为包括Nd的至少一种稀土元素；0.80～0.93wt％的B；0.1～0.50wt％的Cu；0.2‑0.5wt％的Ga；0～0.5wt％的M，M为Zr、Ti中的至少一种，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量；0.1～1.5wt％的Al；余量为Fe、Co以及不可避免的杂质、且Fe占Fe、Co和杂质总含量的95wt％以上。本申请通过调整R，Cu，Ga，M元素的比例，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量，在合金铸片制成粉末之前，对合金铸片进行750±50℃的保温处理，可在保证90vol％的主相前提下，能够在磁体晶界处形成体积分数40vol％以上的R‑Ga‑Cu‑M相，同时在一定程度上减少R‑T‑Ga相的存在，避免因R‑T‑Ga相较多，使磁体的Hcj降低。 | ||
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