| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | US15480406 |
| 公开（公告）号 | US10043871B1 | 公开（公告）日 | 2018-08-07 |
| 公开国别 | US | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | Franck Natali; Stéphane Ange Vézian | ||
| 简介 | Structure or device comprises a AlxGa1-xN or InyGa1-yN layer or substrate, a rare earth nitride epitaxial layer, and an AlzGa1-zN epitaxial interlayer between the rare earth nitride epitaxial layer and the AlxGa1-xN or InyGa1-yN layer or substrate. The interlayer is in direct contact with the rare earth nitride epitaxial layer and the AlxGa1-xN or InyGa1-yN layer or substrate. | ||
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