| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN201810208697.X |
| 公开（公告）号 | CN108301046A | 公开（公告）日 | 2018-07-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 江苏海林电子新材料科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种大尺寸稀土掺杂镓镧晶体制备的光学晶体及其生长方法，所述镓镧晶体制备的光学晶体的分子式为RERE’La3M0.5Ga5.5O14，M为Nb或Ta中的一种，其中RE≠RE’，RE和RE’为Tm、Er、Ho、RE’为Nd、Yb中的一种。本发明抑制晶体生长中原料中组分的挥发，可以得到成分均匀的晶体，显著提高了晶体高温下的压电性能和光学性能，可以广泛应用在光学和压电领域。 | ||
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