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一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散的方法 发明申请

2023-10-22 3170 319K 0

专利信息

申请日期 2025-07-05 申请号 CN201711416008.6
公开(公告)号 CN108305772A 公开(公告)日 2018-07-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 宁波韵升股份有限公司; 北京科技大学; 宁波韵升磁体元件技术有限公司; 包头韵升强磁材料有限公司
简介 本发明公开了一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散的方法,首先将扩散源附着在烧结钕铁硼磁体表面形成涂层,然后进行脱氢处理,最后对涂层进行扩散处理,扩散源为R1‑R2‑M型合金的氢化物粉末,R1‑R2‑M型合金的熔点为400‑800℃,R1为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素或者为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素与除La、Ce、Nd和Pr以外的其他一种或者多种稀土元素的混合物,R2为Tb、Dy和Ho中的至少一种元素,M为Cu、Al和Ga中的至少一种元素或者为Cu、Al和Ga中的至少一种元素与除Cu、Al和Ga以外的其他一种或者多种非稀土元素的混合物,脱氢处理的真空度优于10‑2Pa,温度为950‑1050℃,时间为0.5‑5h;优点是扩散难度小,扩散效率高,且扩散效果好,适用于批量化操作。


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