| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN201810285275.2 |
| 公开（公告）号 | CN108286075A | 公开（公告）日 | 2018-07-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括：在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶；使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚中；将溶液过冷以使得SiC单晶在籽晶上生长；从石墨坩锅上方将粉末状或者粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中，同时保持SiC单晶的生长。 | ||
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