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近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法 发明申请

2023-06-08 3330 1546K 0

专利信息

申请日期 2025-08-18 申请号 CN201810287429.1
公开(公告)号 CN108277004A 公开(公告)日 2018-07-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 哈尔滨工业大学
简介 近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,它涉及近红外纳米晶荧光寿命的调节方法。它要解决现有的稀土掺杂的纳米晶荧光寿命不能调节的技术问题。该方法:近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶为立方相NaYF4 : Yb, Nd, E@CaF2、六方相NaYF4 : Yb, Nd, E@NaYF4、六方相NaYF4 : Yb, Nd, E@NaLuF4或者六方相NaYF4 : Yb, Nd, E@NaGdF4,其中固定掺杂离子为Yb和Nd,可变掺杂离子为E且E为Yb、Er、Ho、Tm或Nd;通过改变E离子的浓度来调节纳米晶的荧光寿命。通过调节合成的在近红外区具有不同荧光寿命的纳米晶可利用时间门成像技术应用在复合成像上。


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