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一种稀土纳米二氧化硅质子膜及其制备方法 发明申请

2023-11-09 4770 244K 0

专利信息

申请日期 2025-07-19 申请号 CN201810089699.1
公开(公告)号 CN108281690A 公开(公告)日 2018-07-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 温州市赢创新材料技术有限公司
简介 本发明公开了一种稀土纳米二氧化硅质子膜及其制备方法,它是由下述重量份的原料组成的:硫化亚锡0.1‑0.2、甲基丙烯酸三氟乙酯1‑2、聚苯醚75‑80、烷醇酰胺0.7‑1、二甲基亚砜20‑30、稀土纳米二氧化硅溶液10‑13、甲磺酸2‑3、三氧化二锑1‑2。本发明引入的稀土离子也能够更好的分散到薄膜中,实现薄膜的导电均匀性,本发明的质子膜电导率稳定,膜的强度高,综合性能优越。


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