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一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法 发明申请

2023-09-28 3080 278K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN201810010384.3
公开(公告)号 CN108269684A 公开(公告)日 2018-07-10
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 宁波招宝磁业有限公司
简介 本发明公开了一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法,属于稀土永磁材料技术领域,包括熔炼、制粉、成型、烧结时效、涂覆、氢气还原、二次成型、烧结等步骤,本方法处理过的钕铁硼磁体,剩磁和磁能积变化不大,矫顽力大幅提高;相比通过磁体中的Nd直接置换磁体表面涂覆的Dy或者Tb化合物中的Dy或者Tb,本方法的一个显著优点在于通过氢气还原Dy或Tb的氧化物或者氟化物,同时破碎烧坯使Dy或Tb更好的进入晶粒境界,大大提高了渗Dy、渗Tb的速度,渗层厚度大幅增加,同时,本发明操作过程简单,用氢气还原可操作性强,大大降低了生产成本。


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