| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | TW110144670 |
| 公开（公告）号 | TW202213794A | 公开（公告）日 | 2022-04-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日商半导体能源研究所股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明的一个方式的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性以实现高可靠性化。本发明提供一种电晶体及包括该电晶体的半导体装置其中在包括氧化物半导体层的电晶体中接触氧化物半导体层的上面部及下面部设置有由与氧化物半导体层同一种成分构成的缓冲层。作为与氧化物半导体层接触的缓冲层可以使用包含选自铝、镓、锆、铪和稀土元素中的一个以上的元素的氧化物的膜。; ...... | ||
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