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一种含有稀土记忆合金层的铝铅硅合金的制备方法 发明申请

2023-02-21 4860 259K 0

专利信息

申请日期 2025-06-29 申请号 CN201810185124.X
公开(公告)号 CN108251812A 公开(公告)日 2018-07-06
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 瞿凌飞
简介 本发明公开了一种含有稀土记忆合金层的铝铅硅合金的制备方法,本发明通过向合金熔体中添加微量的Zn和C,在合金熔体冷却发生液‑液相变前,Zn和C以ZnC粒子形式自熔体中沉淀析出,从而大幅度形核率;本发明采用磁控溅射的方法,并采用低温轧制的手段,在铝铅硅合金表面形成稀土记忆合金层,能够将提升该合金的屈服强度,使得铝铅硅合金的表面均匀致密、膜基结合强度高、力学性能优良。


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