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一种Al-Si-Cu晶界扩散添加剂及含有该晶界扩散添加剂的钕铁硼磁体 发明申请

2023-06-21 2580 178K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN201611153357.9
公开(公告)号 CN108231388A 公开(公告)日 2018-06-29
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 龙岩紫荆创新研究院
简介 本发发明提供一种Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂,该晶界扩散添加剂包括铝、硅、铜,以扩散添加剂总质量为100%,铝、硅、铜的质量百分含量分别为:铝:82至90wt%;硅:6至12wt%;铜:2至8wt%。本发明还把该Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂添加到钕铁硼磁体制备中。发明通过往钕铁硼磁体中添加Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂,可以使得钕铁硼磁体矫顽力获得改善,在生产中可以用Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂代替稀土元素,可以降低稀土元素的使用比例或者不使用稀土元素,降低磁体制备成本。


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