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一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法 发明申请

2023-06-10 2510 324K 0

专利信息

申请日期 2026-04-25 申请号 CN201711435523.9
公开(公告)号 CN108231394A 公开(公告)日 2018-06-29
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 包头希迪瑞科技有限公司
简介 本发明公开了一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法,采用磁控溅射的方法在烧结钕铁硼磁体表面制备重稀土薄膜,然后经离子束辅助真空热扩散处理工艺,最后经回火处理得到所述高矫顽力钕铁硼磁体;所述热扩散处理工艺的温度为600~800℃,时间为6~12h。本发明提供了一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法,显著降低了热扩散处理的温度,缩短了热扩散处理的时间,且使得烧结钕铁硼磁体的矫顽力得到进一步的提升。


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