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一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法 发明授权

2023-01-26 2800 252K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN201610789968.6
公开(公告)号 CN106409497B 公开(公告)日 2018-06-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 浙江东阳东磁稀土有限公司
简介 本发明公开了一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法。它具体操作步骤如下:用钕铁硼粉末冶金工艺制备主相合金粉末;采用稀土合金粉末冶金工艺制备低熔点稀土合金的晶界粉末;将主相合金粉末与低熔点稀土合金的晶界粉末按照比例混合均匀;在磁场中取向成型,制得毛坯钕铁硼磁体,在1000~1100℃条件下烧结3~5小时,制备得到烧结钕铁硼磁体;在磁体表层通过电泳的方法涂覆一层低熔点稀土合金;将磁体放入真空烧结炉中进行二级回火热处理。本发明的有益效果是:在提高磁体矫顽力的同时几乎不降低剩磁,可以提高重稀土元素在磁体中的扩散深度,改善磁体扩散后的均匀性,适合批量化生产。


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