| 申请日期 | 2026-04-27 | 申请号 | CN202010637783.X |
| 公开（公告）号 | CN111778425B | 公开（公告）日 | 2022-03-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种单相铑基合金磁制冷材料，化合物通式为R3Rh2，其中R为稀土元素Ho或Er元素中的任意一种，其成分为单相；所述单相为Y3Rh2型的晶体结构。其制备方法包括以下步骤：1)铑基合金磁制冷合金锭的熔炼；2)铑基磁制冷材料的退火处理。作为磁制冷材料的应用，为二级相变材料，不存在热滞；磁熵变值在0‑5 T磁场下的范围为14‑20 J kg‑1K‑1，制冷量为达380‑390 J/kg。本发明具有以下优点：单相性好；是单一的二级相变材料，且磁转变温度附近只发生磁结构转变，不存在热滞；是非常理想的低温区磁制冷材料；并且工艺简单，适于工业化生产。 | ||
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