半导体装置及其制造方法发明申请

2023-11-23 3550 1993K 0

申请日期	2025-06-29	申请号	CN201710087126.0
公开（公告）号	CN107819068A	公开（公告）日	2018-03-20
公开国别	CN	申请人省市代码	全国
申请人	东芝存储器株式会社
简介	提供一种半导体装置及其制造方法。实施例的半导体装置具备第1稀土氧化物层、与所述第1稀土氧化物层相邻的第1磁性层、和非磁性层，所述第1磁性层配置于所述第1稀土氧化物层与所述非磁性层之间，且以与所述非磁性层的晶面相同的晶面取向。

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