| 申请日期 | 2025-07-11 | 申请号 | CN201811121638.5 |
| 公开（公告）号 | CN109182979A | 公开（公告）日 | 2019-01-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国计量大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种钕掺杂二维层状二硒化钼薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：首先通过高纯原料钼、硒、钕的化学气相输运反应，制得钕掺杂二硒化钼的多晶体；接着通过压制及烧结，制得钕掺杂二硒化钼的陶瓷靶；将陶瓷靶和清洗过的衬底置入真空腔，通过脉冲激光轰击所制备的陶瓷靶，控制频率、时间、功率等因素，获得不同层数、形貌均匀、面积连续的超薄钕掺杂二硒化钼薄膜光电材料。所制备的材料在近红外区域具有发射光谱，可被用于构筑原子级超薄的光电子器件，如电致发光器件、平板波导、探测器等。 | ||
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