| 申请日期 | 2025-08-17 | 申请号 | CN202210148961.1 |
| 公开（公告）号 | CN114203745A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种近红外图像传感器结构及其制作方法，该结构包括近红外光转换层及光电二极管层，近红外光转换层包括稀土上转换纳米发光材料以将近红外光转化为可见光，光电二极管层位近红外光转换层下方以响应近红外光转换层发出的可见光。本发明通过引入稀土上转换纳米材料作为感光材料，利用其优异的上转换发光性能，将近红外光的光信号转化为可见光的光信号，并通过发光二极管将可见光的光信号转化为电信号以生成图像信号，可以拓宽CMOS图像传感器的光响应范围，实现CMOS图像传感器在近红外领域的应用。本发明的制作方法形成的近红外光转换层中，稀土上转换纳米材料能够以稳定形式存在，能够满足稀土上转换纳米材料的器件应用。 | ||
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