| 申请日期 | 2025-08-18 | 申请号 | CN201811045596.1 |
| 公开（公告）号 | CN109148571A | 公开（公告）日 | 2019-01-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法，其中，所述复合薄膜包括在衬底上由下到上用溅射的方法依次溅射的第一层薄膜和第二层薄膜，其中，所述第一层薄膜由稀土靶材和铝靶材在含氧气体中溅射得到。所述制备方法包括：步骤1，选择衬底，并对衬底和靶材进行预处理；步骤2，在衬底上溅射第一层薄膜；步骤3，在第一层薄膜上溅射第二层薄膜，得到复合薄膜；步骤4，将得到的复合薄膜进行退火处理，制备得到新型高k栅介质复合薄膜。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产，制备得到的复合薄膜具备优良的综合电性能。 | ||
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