| 申请日期 | 2026-04-22 | 申请号 | CN201810877306.3 |
| 公开（公告）号 | CN109112483A | 公开（公告）日 | 2019-01-01 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种高速率生长高性能稀土钡铜氧高温超导膜的热处理方法，包括如下步骤：A、在衬底材料上沉积稀土钡铜氧前驱膜；B、将步骤A制备的前驱膜进行熔融然后再凝固的热处理，即可；所述熔融然后再凝固的热处理采用先在760‑850℃下第一次保温1秒‑30分钟，然后在760‑850℃下第二次保温1秒‑30分钟。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：降低对稀土钡铜氧高温超导前驱膜沉积过程中工艺的要求；采用该热处理工艺可以实现超导膜的高速率生长，生长速率达到1纳米/秒以上，且稀土钡铜氧化物具有优良的超导性能。 | ||
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