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一种半导体绿色荧光粉及其制备方法 发明授权

2022-12-28 3840 401K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201610982001.X
公开(公告)号 CN106566549B 公开(公告)日 2018-12-28
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 杭州电子科技大学
简介 本发明涉及发光材料技术领域。一种半导体绿色荧光粉,该荧光粉具有如下化学表示式:(Bi1‑xYx)2ZnO(BO3)2,x的取值范围为0<x≤1。本发明的有益效果是荧光粉不含价格较为昂贵的稀土元素,且制备条件温和,不需要高温和还原气氛,能实现绿光发射得到的绿色荧光粉具有宽的激发带宽,覆盖紫外、紫光和蓝光区域,激发峰位于410nm附近,与紫外芯片的发射峰重叠很好,能够有效被激发。


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