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一种稀土掺杂的长余辉材料及其制备方法 发明申请

2023-05-04 3560 241K 0

专利信息

申请日期 2025-07-13 申请号 CN201711379240.7
公开(公告)号 CN108117872A 公开(公告)日 2018-06-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 大连智讯科技有限公司
简介 本发明涉及发光材料技术领域,提供一种稀土掺杂的长余辉材料及其制备方法,所述稀土掺杂的长余辉材料的化学组成:CaSnO3 : aR, bM,其中,R为Tb、Eu、Tm、Er中的至少一种,M为Li、Na、K中的至少一种;a=0.1‑10mol%,b=0.1‑10mol%。本发明制备的长余辉材料粒径均匀细小、稳定性好,发光颜色更丰富、余辉发光时间更长,发光效率得到了很大提高。


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