| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | CN201711348406.9 |
| 公开（公告）号 | CN108060391A | 公开（公告）日 | 2018-05-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5：52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。 | ||
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