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半导体器件及其制造方法 发明授权

2023-06-29 3550 5058K 0

专利信息

申请日期 2025-07-20 申请号 CN201310044705.9
公开(公告)号 CN103247672B 公开(公告)日 2018-05-15
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 瑞萨电子株式会社
简介 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上,形成包含间层、HfON膜和HfSiON膜的栅极绝缘膜。然后,在HfSiON膜上,形成含Al膜和掩模层。随后,从n沟道MISFET形成区选择性去除掩模层和含Al膜。然后,在n沟道MISFET形成区中的HfSiON膜上形成含稀土元素膜。进行热处理以在n沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含稀土元素膜之间的反应并在p沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含Al膜之间的反应。之后,去除未反应的含稀土元素膜和掩模层,然后形成金属栅电极。


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