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一种酞菁类化合物及其合成方法和应用 发明授权

2023-01-01 5300 843K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN201610118563.X
公开(公告)号 CN105541850B 公开(公告)日 2018-05-15
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 京东方科技集团股份有限公司
简介 本发明涉及一种酞菁类化合物,具有如式I所示结构,其中A表示过渡金属或稀土金属;R1表示苯基、萘基、C4‑C16的正构烷基。本发明提供的式I结构酞菁芳类化合物含过渡金属或稀土金属,并在线性延伸的π‑共轭体系中引入周边取代基。其在400℃以下相对更稳定,在真空中也易蒸发形成均匀的薄膜,具有良好的热稳定性、高的化学稳定性和高迁移率。所述有机半导体器件具有较快的开关速度,较高的开关比,可靠性强等特点。


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