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一种溶液法生长氯氧化钐纳米晶及其方法 发明授权

2023-04-24 2100 928K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN201611022283.5
公开(公告)号 CN106629808B 公开(公告)日 2018-05-11
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 陕西科技大学
简介 本发明涉及一种溶液法生长氯氧化钐纳米晶及其方法,属于无机三元稀土化合物纳米晶材料合成领域。先按照1:(1~10)的摩尔比,将钐源和氯源前驱体分散在溶剂中,经过搅拌达到均匀混合。随后在保护气氛下,升温到200摄氏度以上,通过一定的保温时间,完成氯氧化钐纳米晶的生长。随后,经过离心分离即可获得氯氧化钐纳米晶。所生长的氯氧化钐纳米晶具有完整的长方体形貌,厚度约为20纳米,同时,具有很好的单分散性。本发明采用溶液法合成氯氧化钐纳米晶,具有反应温度低,操作简单,容易控制,所制备的氯氧化钐纳米晶纯度高,无任何可探测到的杂质相。为进一步研究氯氧化钐纳米晶的物理化学性质提供重要的物质平台。


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