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R-T-B系磁体用原料合金及其制造方法 发明授权

2023-10-11 5010 1183K 0

专利信息

申请日期 2026-03-15 申请号 CN201480019491.2
公开(公告)号 CN105121682B 公开(公告)日 2018-05-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社三德
简介 一种R‑T‑B系磁体用原料合金,该合金包含作为主相的R2T14B相和R被浓缩了的富R相,主相具有枝晶主轴和从该枝晶主轴分枝出的二次枝晶臂,通过使生成有二次枝晶臂的区域的体积率为2~60%,即使在降低重稀土的添加量的情况下,也能够在R‑T‑B系烧结磁体中确保优异的矫顽力。富R相的间隔优选为3.0μm以下、激冷晶体的体积率优选为1%以下。另外,二次枝晶臂的间隔优选为0.5~2.0μm、富R相的椭圆长短比优选为0.5以下。


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