| 申请日期 | 2025-07-19 | 申请号 | CN202011019254.X |
| 公开（公告）号 | CN112125669B | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科技大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件，所述无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件的化学通式为：(1‑x‑y)CaBi2Ta2‑aNbaO9+xNa0.5‑bKbBi2.5Nb2O9+ySrBi2Nb2‑cSbcO9+zwt％P，其中，0.05≤x≤0.85，0≤y≤0.1，0 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
