| 申请日期 | 2025-07-02 | 申请号 | CN202011145391.8 |
| 公开（公告）号 | CN112723751B | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供了稀土掺杂锗酸铋单晶光纤，包括外部包层和内部纤芯两部分，所述纤芯是由掺杂有一定浓度稀土离子的Bi4Ge3O12单晶结构，所述包层为Bi4Ge3O12结构，所述纤芯制备采用的原材料为稀土离子氧化物、Bi2O3、GeO2，其中Bi2O3、GeO2的摩尔比为1～2：3～4。本发明中设置有两层结构，包括外部包层和内部纤芯两部分，外部包层选用Bi4Ge3O12制备的玻璃结构，内部纤芯为掺杂有稀土离子的Bi4Ge3O12单晶结构，同时，还提供了上述光纤的制备方法，与现有技术相比，制备的光纤输出的激光更为高效、功率更高。 | ||
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