具有介面层之三五族半导体发明授权

2023-04-30 2480 1313K 0

申请日期	2025-06-24	申请号	TW103125044
公开（公告）号	TWI612564B	公开（公告）日	2018-01-21
公开国别	TW	申请人省市代码	全国
申请人	爱美科公司; 比利时鲁汶大学
简介	本发明揭示一种半导体结构，其包括：a.一基板，其包括一III-V材料，及b.一高k介面层，其覆叠该基板，其中该介面层包括一稀土铝酸盐；一种包括该半导体结构之n型FET装置；及一种制造该半导体结构之方法

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