| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201410845260.9 |
| 公开（公告）号 | CN104562183B | 公开（公告）日 | 2018-01-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西南技术物理研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供的一种大尺寸稀土掺杂氟化钇钡晶体生长方法，在加热炉内，按质量百分比将{xReF3+(1‑x)YF3} : BaF2=2：1, x=0～100%多晶料置于坩埚中，抽真空，向加热炉内先后通入氩气；用控温仪控制加热功率使之熔化，坩埚内液面与炉内气体流动进行热交换形成轴向温度差，坩埚壁与坩埚中心形成径向温度差，引起熔体的自然对流；再用铂金夹头将BaY2F8籽晶固定于籽晶杆，下降籽晶与熔体接触进行氟化物晶体生长；当氟化物晶体生长到设定尺寸时，开始退火，以20°C/小时的降温速率降温至室温，通过调节转速和加热功率，直至晶体生长结束与熔体脱离，在坩埚内退火，获得大尺寸氟化物晶体。本发明解决了氟化物熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中气泡多等生长不利因素。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
