| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201710600191.9 |
| 公开（公告）号 | CN107611257A | 公开（公告）日 | 2018-01-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华侨大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种由亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I、非磁性间隔层和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II依次生长而成的人工磁耦合结构材料及其制备方法，亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II是和薄膜I同样的稀土‑过渡合金材料，通过相同的磁控溅射过程控制不同的沉积厚度制得。亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I厚度为20‑30nm，是富稀土相，易磁化方向垂直膜面；亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II厚度为3‑6nm，是富过渡相，易磁化方向为面内或者倾斜接近膜面。利用层间交换耦合作用，可实现人工结构材料的垂直负矫顽力，制备工艺简单，材料性能稳定，可以作为一种新型的磁电、磁传感器件及信息存储材料。 | ||
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