| 申请日期 | 2025-08-16 | 申请号 | CN201710717721.8 |
| 公开（公告）号 | CN107587109A | 公开（公告）日 | 2018-01-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华侨大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种具有高垂直偏置场及大翻转场平台的复合多层膜结构及其制备方法，由亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I、非磁金属隔离层和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II依次生长而成；薄膜I是XFeCo硬磁合金材料，厚度为7.5‑30nm，其中X是稀土元素Tb或Dy且原子百分比不低于25.5％；薄膜II是GdFeCo软磁合金材料，厚度为7.5‑30nm，其Gd元素的原子百分比不高于24.5％；薄膜I和薄膜II的易磁化方向均垂直膜面。薄膜I和II富相相反，可以产生稳定的反铁磁耦合结构，利用隔离层的部分退耦及层间交换耦合作用，不需场冷处理就可在该硬/软复合多层膜材料中产生较高的垂直偏置场及大的翻转场平台，可作为垂直巨磁阻或自旋阀的核心结构材料应用到垂直磁电器件中。 | ||
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