经由单晶稀土族氮化物及稀土族氧化物缓冲层磊晶形成於矽上之第III族半导体发明申请

2023-08-08 1010 5386K 0

申请日期	2025-08-04	申请号	TW106112264
公开（公告）号	TW201802884A	公开（公告）日	2018-01-16
公开国别	TW	申请人省市代码	全国
申请人	IQE有限公司
简介	本揭露描述於矽＜110＞及矽＜100＞上形成第III-V族半导体材料之层结构各种缓冲层及介面减少第III-V族半导体材料与矽＜110＞或矽＜100＞之间的晶格应变，以允许高质量第III-V族半导体材料的磊晶形成

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