| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN202180001030.2 |
| 公开（公告）号 | CN114175271A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种薄膜晶体管(TFT)包括：栅极(170)、有源层(SL)、位于栅极(170)和有源层(SL)之间的栅极绝缘层(160)、以及电连接到所述有源层(SL)的源极(181)和漏极(182)。有源层(SL)包括在堆叠方向上重叠设置的沟道层(CL)和至少一个沟道保护层(PL1；PL2)，沟道层(CL)和至少一个沟道保护层(PL1；PL2)每个的材料均为金属氧化物半导体材料。至少一个沟道保护层(PL1；PL2)为结晶层，且至少一个沟道保护层(PL1；PL2)的金属元素包括非稀土金属元素，所述非稀土金属元素包括In、Ga、Zn和Sn。这样，能够有效减少沟道层的缺陷，从而有效改善了薄膜晶体管的整体稳定性。 | ||
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