| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201710771742.8 |
| 公开（公告）号 | CN107564660A | 公开（公告）日 | 2018-01-09 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 任瀚洋 | ||
| 简介 | 本发明涉及稀土永磁技术领域，公开了一种高性能Sm‑Co纳米永磁薄膜。该SmCo纳米永磁薄膜的结构从上至下依次包括：MgO基片、Cr缓冲层、Sm‑Co层以及Cr覆盖层，其中Cr缓冲层、Sm‑Co层以及Cr覆盖层的尺寸均为纳米等级。还公开了其制备方法，包括(1)Sm‑Co合金的制备；(2)靶材制备；(3)先在MgO基片上沉积Cr缓冲层，再溅射沉积Sm‑Co层，最后沉积Cr覆盖层。本发明提供一种制备高纯度无氧化，抗氧化性优异，易于调控的薄膜及其制备方法，解决了尺寸精度要求高、温度要求高的问题，更加符合电子工业生产所需要求。 | ||
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