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氧化铝基板 发明申请

2023-06-09 4460 1061K 0

专利信息

申请日期 2026-04-24 申请号 CN201680011843.9
公开(公告)号 CN107532330A 公开(公告)日 2018-01-02
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 TDK株式会社
简介 本发明提供一种形成有AlN层且降低了翘曲的氧化铝基板。本发明提供一种基板材料,在本基板上生长AlN晶体等的情况下,具有能够耐受通常的操作的程度的强度,并且在生长中或者冷却中施加了过度的应力的情况下防止在生长晶体中引入裂纹或碎裂。制成:在表面形成有AlN层的氧化铝基板中,在AlN层的内部或者AlN层与氧化铝基板界面形成有含稀土区域以及空隙的基板。通过含稀土区域集中晶格失配应力,另外空隙释放应力,从而能够降低AlN层的翘曲。另外,由于含稀土区域集中应力,空隙降低机械强度,因此能够诱发裂纹或者碎裂的起源和传播,结果能够防止在本基板上生长的晶体中混入裂纹或碎裂。进一步含稀土区域能够确保操作程度的机械强度。


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