| 申请日期 | 2025-07-12 | 申请号 | CN201710601531.X |
| 公开（公告）号 | CN107523796A | 公开（公告）日 | 2017-12-29 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华侨大学 | ||
| 简介 | 本发明公开一种具有间隔层的稀土‑过渡合金复合材料的制备方法，将稀土贴片与铁钴合金靶相贴合形成复合镶嵌靶，先采用磁控溅射复合镶嵌靶或者三元合金靶，在基片上生长20～50nm厚的第一层稀土‑过渡合金薄膜(磁性薄膜层I)，然后溅射0.5～2.5nm厚的金属间隔层或氧化物间隔层(间隔层)，最后继续溅射复合镶嵌靶或者三元合金靶，在间隔层上生长7～15nm厚的第二层稀土‑过渡合金薄膜(磁性薄膜层II)，得到的是一种具有间隔层的同一种亚铁磁稀土‑过渡合金(TbFeCo或者DyFeCo)构成的复合材料。该制备方法制备得到的复合材料性能稳定，该复合材料的结构与垂直磁电器件完全兼容，可以作为一种新型的磁电子学器件材料用于垂直自旋阀或磁隧道结器件中。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
