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一种纳米中空LED用钼酸镧掺铽荧光粉及其制备方法 发明授权

2023-06-04 3010 775K 0

专利信息

申请日期 2025-07-18 申请号 CN202010668034.3
公开(公告)号 CN111778023B 公开(公告)日 2022-03-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 南京信息工程大学
简介 本发明提供一种纳米中空LED用钼酸镧掺铽荧光粉及其制备方法,其化学组成表达式为:La2(1‑x)Tb2xMo3O12,其中x=0.5~15.0mol%。本发明所制备的纳米中空LED用钼酸镧掺铽荧光粉具有良好的结晶性,颗粒尺寸均匀,分散性较好,具有纳米中空结构,能有效节约稀土资源,降低成本,使用时无需二次粉碎;本发明所得纳米中空LED用钼酸镧掺铽荧光粉能被近紫外光有效激发,最高发射峰为545nm,半高宽~8nm,为窄带绿光发射,解决了LED显示用绿色荧光粉在发射带宽上存在的问题;本方法原料来源丰富、成本低廉、合成工艺简单、易操作、重复性好、可大批量制备。


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