| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | TW104132027 |
| 公开（公告）号 | TWI609106B | 公开（公告）日 | 2017-12-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 国立中山大学 | ||
| 简介 | 一种双掺杂闪烁晶体制作方法，系利用柴式提拉法(Czochralski, Cz)生长一双掺杂铈与一钙或一镁元素稀土矽酸盐单晶棒，利用掺杂钙或镁元素产生电荷补偿效应(Charge Compensation)，使其中之钙或镁与铈正四价(Ce+4)发生电荷补偿，以产生铈正三价(Ce+3)，形成一钙铈双掺稀土矽酸盐单晶棒或一镁铈双掺稀土矽酸盐单晶棒，再将其放置於一高温设备中进行热退火(thermal annealing)处理，将该钙铈双掺稀土矽酸盐单晶棒或该镁铈双掺稀土矽酸盐单晶棒从室温加热至1400~1700℃之间後持温一反应时间，之後进行降温步骤藉此，本发明在大气下进行热退火处理，利用热退火可大量减少晶体在加工时所产生之碎裂，并能提高晶体切磨抛之後，像素(pixel)样品之良率，具有制程成本低、良率高、晶体碎裂少、放光强度高及衰减时间(decaying time)短等优点 | ||
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