| 申请日期 | 2026-04-25 | 申请号 | CN201710786661.5 |
| 公开（公告）号 | CN107488874A | 公开（公告）日 | 2017-12-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，包括以下步骤，首先推算稀土晶体生长过程中，晶体生长空间内的温度梯度值；所述温度梯度值包括轴向温度梯度和径向温度梯度；然后根据上述步骤得到的温度梯度值、保温材料的热导率以及保温材料的外形结构，经计算后，得到用于稀土晶体生长工艺的温度场结构。本发明从稀土晶体的生长机理入手，提出了用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，利用晶体生长过程中的传热方程计算理论温度梯度，结合实际生长中的温度梯度，设计并固定不同的温度场结构，解决了稀土晶体生长技术设计周期长、生长参数需要反复优化等问题，尤其是大尺寸稀土晶体在上述方面存在的问题。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
