| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN202111503874.5 |
| 公开（公告）号 | CN114150296A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了近室温红外成像用稀土锰氧化物薄膜制备方法，具体包括如下步骤：基底高温退火、基底还原、基底活化、前驱体配置、前驱体净化、基底旋涂、基底热处理、薄膜烧结；本发明的方法在保证稀土锰氧化物薄膜组分函数高度吻合设计值的同时，制备出大面积、高平整度、在近室温区范围具有高值TCR的稀土锰氧化物薄膜，强化其作为红外探测成像器件的性能基础，进一步拓宽红外探测器敏感材料的选择范围。 | ||
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