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包含有机半导体层的有机发光二极管 发明申请

2023-02-08 2760 2592K 0

专利信息

申请日期 2026-03-08 申请号 CN201710397438.1
公开(公告)号 CN107452882A 公开(公告)日 2017-12-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 诺瓦尔德股份有限公司
简介 本发明涉及包含有机半导体层的有机发光二极管。所述有机发光二极管包含阳极、阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层,其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层排列在所述阳极与阴极之间,并且所述有机半导体层包含实质上金属的稀土金属掺杂剂和第一基质化合物,所述第一基质化合物包含至少两个菲咯啉基,本发明还涉及制备所述有机发光二极管的方法。


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