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一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法及稀土磁体 发明授权

2023-02-20 1680 452K 0

专利信息

申请日期 2025-07-01 申请号 CN201711448520.9
公开(公告)号 CN109979743B 公开(公告)日 2022-03-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 宁波科宁达工业有限公司; 北京中科三环高技术股份有限公司
简介 本发明公开一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法及稀土磁体。该方法包括步骤:将RE1‑y‑zAlyMz合金粉末中的一种或RE1‑y‑zAlyMz合金粉末中的多种混合作为涂覆粉末,RE1‑y‑zAlyMz合金包含非晶相;将涂覆粉末与有机液体、粘结剂混合均匀,获得涂料;将涂料涂覆到钕铁硼磁体的表面;将涂覆后的磁体放入真空炉中,在400~600℃进行热处理;将热处理后的磁体在800~950℃进行晶界扩散处理;将晶界扩散后的磁体在450~600℃进行回火处理,获得稀土磁体。本发明的钕铁硼磁体晶界扩散的方法,可缩小多个稀土磁体间矫顽力的误差范围,实现钕铁硼磁体矫顽力提高值的可调控。


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