| 申请日期 | 2025-07-14 | 申请号 | CN201610608193.8 |
| 公开（公告）号 | CN106282948B | 公开（公告）日 | 2017-12-01 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京中科三环高技术股份有限公司; 天津三环乐喜新材料有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开一种镀膜方法和镀膜系统及稀土磁体的制备方法。本发明的方法和系统将磁体在水平方向多行排列在传送装置上；多行排列的磁体依次通过溅射镀膜设备的溅射区，完成镀膜；溅射镀膜设备与磁体上表面的垂直距离为10‑200mm。本发明的方法和系统采用连续通过式的磁控溅射设备溅射Dy、Tb等重稀土金属在磁体表面，有效控制溅射层的厚度，保证溅射层的均匀，从而保证对溅射后磁体进行晶界扩散处理后的磁片磁性能均匀，可实现晶界扩散技术制备磁体的快速连续生产。 | ||
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