| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | EP16171382 |
| 公开（公告）号 | EP3249706A1 | 公开（公告）日 | 2017-11-29 |
| 公开国别 | EP | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | IMEC VZW; Katholieke Universiteit Leuven | ||
| 简介 | A Resistive Random Access Memory device (1) comprising a stack of a lower oxygen affinity bottom electrode (4), a hygroscopic solid-state dielectric layer (3), comprising hydroxyl groups, and a higher oxygen affinity top electrode (2). Preferably this hygroscopic solid-state dielectric layer (3) is a rare-earth metal oxide layer. | ||
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