申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201480004685.5 |
公开(公告)号 | CN105051859B | 公开(公告)日 | 2017-11-28 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | IPG光子公司 | ||
简介 | 通过中红外激光穿过衬底的透射来执行热加工,所述衬底例如具有有限中红外透射范围的半导体衬底。激光由稀土掺杂的光纤激光器产生,并且引导穿过衬底,使得透射的功率能够改变位于衬底背侧区域的目标材料,所述位于衬底背侧区域例如在衬底上或与衬底分隔开。衬底可以足够透明,以允许透射的中红外激光在不改变衬底材料的情况下改变目标材料。在一个示例中,稀土掺杂的光纤激光器是高平均功率铥光纤激光器,所述激光器按照连续波(CW)模式并且在2μm光谱区中操作。 |
您还没有登录,请登录后查看下载地址
|