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R‑T‑B系烧结磁体的制造方法、该方法所使用的涂布器件和涂布装置 发明申请

2022-12-27 2030 2989K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN201680015230.2
公开(公告)号 CN107408454A 公开(公告)日 2017-11-28
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立金属株式会社
简介 一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其包括在R-T-B系烧结磁体的各自的上表面、下表面和侧面涂布包含重稀土元素RH的金属、合金和/或化合物(RH为Dy和/或Tb)的粉末颗粒的糊剂的工序;和对涂布糊剂后的R-T-B系烧结磁体在烧结温度以下的温度进行热处理的工序。涂布糊剂的工序包括:对于包括具有入口开口部和出口开口部的内部空间且以R-T-B系烧结磁体依次横向通过内部空间的方式结构的涂布器件,依次供给R-T-B系烧结磁体的工序;和在涂布装置的内部空间中填充糊剂,使糊剂与正在内部空间内移动的R-T-B系烧结磁体的上表面、下表面和侧面接触的工序。


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