| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201710729664.5 |
| 公开（公告）号 | CN107365971A | 公开（公告）日 | 2017-11-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华侨大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种具有高垂直交换耦合场的稀土‑过渡合金薄膜及其制备方法，包括通过磁控溅射依次在基片上溅射的金属缓冲层、非磁氧化物层、合金层及金属保护层；通过调整溅射时间控制非磁氧化物层生长厚度，以调节与其直接接触的合金层氧化程度，形成合金层的氧化部分和未被氧化部分间的交换耦合体系，从而调节氧化层程度及垂直交换耦合场的大小。 | ||
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