| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201410299430.8 |
| 公开（公告）号 | CN104332539B | 公开（公告）日 | 2017-10-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | ||
| 简介 | 本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。 | ||
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